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• 發(fā)布了文章 2025-12-26 11:57

  選型手冊：VSP004N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-26 11:53

  選型手冊：VSD004N03MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSD004N03MS是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-26 11:50

  選型手冊：VS8068AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-262封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時9.0

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-25 16:31

  選型手冊：VSO012N06MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSO012N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時8.0

  MOSFET 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-25 16:27

  選型手冊：VS5810AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS5810AS是一款面向58V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：58V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時5.8mΩ、

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊：VSB012N03MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSB012N03MS是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TDFN3x3.3封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊：VSD011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊：VSD090N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-24 13:12

  選型手冊：VS6016HS-A N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS6016HS-A是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時11mΩ

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-24 13:10

  選型手冊：VS6412ASL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS6412ASL是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值44

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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