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• 發(fā)布了文章 2025-12-16 11:46

  選型手冊(cè)：VS3510AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P溝道耐壓為負(fù)值，實(shí)際適配30V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-16 11:40

  選型手冊(cè)：VS4603GPHT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-16 11:33

  選型手冊(cè)：VS3612GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3612GP是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-15 15:36

  選型手冊(cè)：VS6662GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS6662GS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值6.

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-15 15:03

  選型手冊(cè)：VS3618AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊(cè)：VS40200AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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  選型手冊(cè)：VS3622DP2 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3622DP2是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配雙路低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊(cè)：VSD950N70HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSD950N70HS是一款面向700V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET（超結(jié)工藝）核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS

  MOS MOSFET 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-12 15:43

  選型手冊(cè)：VS2N7002K N 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS2N7002K是一款面向60V低壓小信號(hào)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低功率信號(hào)開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型小信號(hào)MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓小信號(hào)場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V、I_

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-12 15:36

  選型手冊(cè)：VSU070N65HS3 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10

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