動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-02-11 10:26

  揚(yáng)鞭登大道 躍馬啟新程——深圳爭(zhēng)妍微電子光榮出席2025華夏企業(yè)家年會(huì)暨第九屆品牌人物盛典

  

  2026年2月，由中國(guó)商報(bào)社、中國(guó)工業(yè)報(bào)社聯(lián)合主辦的2025華夏企業(yè)家年會(huì)暨第九屆品牌人物盛典在福州福耀科技大學(xué)隆重啟幕。本屆盛會(huì)以“同心致遠(yuǎn)方，攜手向未來”為核心主旨，匯聚全國(guó)政企精英、行業(yè)領(lǐng)軍人物、權(quán)威專家學(xué)者共赴榕城，共探高質(zhì)量發(fā)展新路徑，共話品牌建設(shè)新方略，共繪產(chǎn)業(yè)升級(jí)新藍(lán)圖。歷屆年會(huì)均吸引眾多國(guó)家級(jí)領(lǐng)導(dǎo)、院士、知名企業(yè)家和學(xué)者出席。例如，2026年

  IC 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2026-01-15 11:15

  可控硅（晶閘管）選型與實(shí)操應(yīng)用指南

  

  可控硅（晶閘管）作為一種高性能的電力電子開關(guān)器件，憑借可控導(dǎo)通、關(guān)斷能力強(qiáng)、耐壓耐流范圍廣、性價(jià)比高的特性，被廣泛應(yīng)用于電力調(diào)控、工業(yè)控制、民用家電等多個(gè)領(lǐng)域

  BTA08 BTA12 BTA16 雙向可控硅 可控硅

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• 發(fā)布了文章 2026-01-14 17:10

  深圳爭(zhēng)妍微電子可控硅BTA08、BTA12、BTA16、BTA24系列雙向可控硅使用手冊(cè)

  

  雙向可控硅（Triac）作為交流電路中核心的功率控制器件，憑借體積小、控制簡(jiǎn)便、可靠性高的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于家電、工業(yè)控制、照明等多個(gè)領(lǐng)域。深圳爭(zhēng)妍微電子深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年，打造了涵蓋深圳爭(zhēng)妍微二極管、爭(zhēng)妍微三極管、爭(zhēng)妍微MOSFET、爭(zhēng)妍微可控硅、爭(zhēng)妍微IGBT、爭(zhēng)妍微SiC JBS、爭(zhēng)妍微氮化鎵HEMT、爭(zhēng)妍微驅(qū)動(dòng)IC的全系列產(chǎn)品矩陣，為下游行業(yè)提供一

  BTA08 BTA12 BTA16 雙向可控硅 可控硅

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• 發(fā)布了文章 2026-01-09 11:48

  爭(zhēng)妍微快訊：反傾銷調(diào)查劍指日本半導(dǎo)體材料

  

  2026年1月7日，中國(guó)商務(wù)部宣布對(duì)原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷立案調(diào)查，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期追溯至2022年初。這一針對(duì)半導(dǎo)體核心原料的調(diào)查，迅速引發(fā)行業(yè)熱議。

  IGBT 可控硅 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2026-01-09 09:23

  星鏈調(diào)軌背后的航天半導(dǎo)體安全考量

  

  據(jù)參考消息網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)太空探索技術(shù)公司計(jì)劃未來數(shù)月內(nèi)將4400顆“星鏈”衛(wèi)星軌道高度從550公里降至約480公里。目前已有9000余顆“星鏈”衛(wèi)星在軌運(yùn)行，2025年該公司通過160余次“獵鷹9”號(hào)發(fā)射任務(wù)（其中120余次用于擴(kuò)容），使“星鏈”活躍用戶達(dá)925萬。

  HEMT IGBT MOSFET SiC 可控硅

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• 發(fā)布了文章 2026-01-07 17:43

  爭(zhēng)妍微電子BTA16A/BTB16A可控硅深度解析：大功率場(chǎng)景優(yōu)選器件

  

  作為大功率型號(hào)，BTA16A的核心電性能參數(shù)優(yōu)勢(shì)顯著。通態(tài)有效值電流IT(RMS)提升至16A，是BTA08A的兩倍，可穩(wěn)定承載中大功率負(fù)載；斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM提供600V、800V、1000V多規(guī)格選擇，適配220V市電、工業(yè)中低壓及部分高壓場(chǎng)景，安全余量充足。

  雙向可控硅 可控硅 大功率

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• 發(fā)布了文章 2026-01-07 17:40

  BTA12A/BTB12A可控硅深度解析：中功率場(chǎng)景全能器件

  

  結(jié)構(gòu)與工藝上，BTA12A沿用成熟的NPNPN五層硅結(jié)構(gòu)，搭載高精度P型對(duì)通擴(kuò)散隔離工藝與強(qiáng)化型臺(tái)面玻璃鈍化技術(shù)，搭配優(yōu)化后的背面多層金屬電極設(shè)計(jì)，在延續(xù)系列產(chǎn)品高換向穩(wěn)定性、強(qiáng)耐壓能力的基礎(chǔ)上，針對(duì)性提升了中功率區(qū)間的電流承載均勻性，能平穩(wěn)應(yīng)對(duì)電路中電壓電流的動(dòng)態(tài)波動(dòng)。

  功率器件 可控硅 器件

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• 發(fā)布了文章 2026-01-06 13:02

  爭(zhēng)妍微電子 BTA/BTB 08/12/16/24 600B系列雙向可控硅：高性能電力控制解決方案

  

  在電力電子控制領(lǐng)域，雙向可控硅作為核心開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于馬達(dá)調(diào)速、溫度控制、固態(tài)繼電器等場(chǎng)景，其性能直接決定設(shè)備的可靠性與控制精度。

  BTA06 BTA12 BTB 雙向可控硅 可控硅

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• 發(fā)布了文章 2026-01-06 10:29

  深耕質(zhì)量賽道 鑄就半導(dǎo)體標(biāo)桿 —— 深圳爭(zhēng)妍微電子獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證

  

  近日，深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司憑借嚴(yán)苛的質(zhì)量管控體系與優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品表現(xiàn)，成功通過中國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)審核，榮獲 “全國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)穩(wěn)定合格產(chǎn)品” 認(rèn)證，并獲頒專用標(biāo)識(shí) 5 萬枚。相關(guān)認(rèn)證信息將在《中國(guó)質(zhì)量網(wǎng)》《中國(guó)經(jīng)濟(jì)網(wǎng)》等權(quán)威平臺(tái)專題展示，這標(biāo)志著企業(yè)在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的質(zhì)量實(shí)力獲得國(guó)家級(jí)認(rèn)可。

  IGBT MOSFET SiC 可控硅 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-12-29 13:47

  深圳爭(zhēng)妍微電子獲2025年度全國(guó)鄉(xiāng)村振興先進(jìn)單位殊榮

  

  近日，2026中央和國(guó)家機(jī)關(guān)老干部新春聯(lián)誼會(huì)暨全國(guó)鄉(xiāng)村振興年度頒獎(jiǎng)晚會(huì)隆重舉行，現(xiàn)場(chǎng)星光熠熠、暖意融融，匯聚了各界助力鄉(xiāng)村振興的標(biāo)桿企業(yè)與先進(jìn)個(gè)人。深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司憑借在鄉(xiāng)村振興領(lǐng)域的突出貢獻(xiàn)，被《中國(guó)鄉(xiāng)村振興發(fā)展史》編輯委員會(huì)授予“2025年度全國(guó)鄉(xiāng)村振興先進(jìn)單位（電子電源消費(fèi)類）”榮譽(yù)稱號(hào)，中國(guó)人民解放軍張繼山將軍親臨現(xiàn)場(chǎng)，為公司頒發(fā)了這一極具分量

  IGBT MOS 可控硅 氮化硅 氮化鎵電源

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