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爭妍微快訊:反傾銷調查劍指日本半導體材料

深圳爭妍微電子有限公司 ? 2026-01-09 11:48 ? 次閱讀
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2026年1月7日,中國商務部宣布對原產(chǎn)于日本的進口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷立案調查,產(chǎn)業(yè)損害調查期追溯至2022年初。這一針對半導體核心原料的調查,迅速引發(fā)行業(yè)熱議。作為半導體制造薄膜沉積環(huán)節(jié)的關鍵原料,二氯二氫硅直接影響邏輯芯片、存儲芯片及各類分立器件的生產(chǎn),與深圳爭妍微電子主營的二極管、三極管、MOSFET、可控硅IGBT、SiC JBS、氮化鎵HEMT及驅動IC等產(chǎn)品的供應鏈穩(wěn)定息息相關。

深圳爭妍微電子總經(jīng)理李學會對此事高度關注,其觀點直指行業(yè)核心痛點與機遇?!岸榷涔杩此评溟T,卻是我們爭妍微全系列器件生產(chǎn)的‘隱形基石’?!崩顚W會強調,爭妍微的MOSFET、IGBT、SiC JBS及氮化鎵HEMT等高端器件,對薄膜沉積精度要求極高,而日本進口材料長期占據(jù)國內(nèi)高端市場,2022至2024年數(shù)量攀升、價格累計下跌31%的傾銷行為,不僅沖擊本土材料企業(yè),更間接擠壓了國產(chǎn)器件廠商的生存空間。

在李學會看來,此次調查是產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)的“精準反擊”。“長期以來,國內(nèi)半導體材料受制于人,直接導致國產(chǎn)器件在成本與供應鏈安全上被動?!彼誀庡⒍O管、三極管及驅動IC業(yè)務為例,日本材料的低價傾銷形成不公平競爭,部分本土材料企業(yè)因利潤微薄難以投入研發(fā),而器件廠商若選用國產(chǎn)材料又面臨性能顧慮,選用進口材料則易被供應鏈“卡脖子”。“調查為本土材料企業(yè)松綁,也讓我們器件廠商敢于加大國產(chǎn)材料驗證力度,加速爭妍微可控硅、氮化鎵HEMT等產(chǎn)品的國產(chǎn)替代進程?!?/p>

談及調查對企業(yè)運營的影響,李學會表示,短期或面臨材料定價波動,但長期利好行業(yè)生態(tài)?!拔覀円褑庸湺嘣季郑槍Σ煌骷匦哉{整采購策略?!彼嘎?,爭妍微正聯(lián)合本土材料企業(yè),開展二氯二氫硅適配測試,重點保障IGBT、SiC JBS等高端器件的原料供應,同時優(yōu)化驅動IC的電路設計,降低材料波動對產(chǎn)品性能的影響。“對國產(chǎn)器件廠商而言,公平的競爭環(huán)境比短期成本波動更重要,這能讓我們把更多精力放在技術迭代上?!?/p>

對于行業(yè)格局變化,李學會認為調查將加速半導體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)協(xié)同。“這不是孤立的貿(mào)易舉措,而是國產(chǎn)半導體從材料端到器件端的協(xié)同破局?!彼赋?,日本在半導體材料領域優(yōu)勢明顯,調查或引發(fā)其在光刻設備、特種材料等領域的反制,但這也倒逼國內(nèi)企業(yè)抱團發(fā)展。爭妍微正強化與上下游合作,推動二極管、三極管等基礎器件的材料國產(chǎn)化率提升,同時攻堅MOSFET、氮化鎵HEMT的核心技術,以技術實力對沖貿(mào)易摩擦風險。

此次調查的最終結果雖尚需時日,但李學會對行業(yè)前景充滿信心?!皣a(chǎn)替代不是一蹴而就,但每一次對不公平貿(mào)易的糾偏,都是在為國產(chǎn)器件鋪路?!彼硎?,爭妍微將以此次調查為契機,加快全系列器件的技術研發(fā)與供應鏈優(yōu)化,助力國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)構建自主可控的生態(tài)體系。

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