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• 新能源汽車(chē)充電技術(shù)的未來(lái)：高功率車(chē)載充電機(jī)(OBC)的崛起2024-08-20 11:34

  

  在全球汽車(chē)行業(yè)經(jīng)歷電動(dòng)化轉(zhuǎn)型的浪潮中，新能源汽車(chē)的充電效率和便捷性成為了消費(fèi)者關(guān)注的焦點(diǎn)。當(dāng)前，大多數(shù)新能源汽車(chē)的車(chē)載充電機(jī)(OBC)功率在6.6kW至7.2kW之間，面對(duì)日益增大的電池容量，這一功率水平顯得捉襟見(jiàn)肘。為了滿足未來(lái)電動(dòng)車(chē)的充電需求，行業(yè)內(nèi)已經(jīng)開(kāi)始著手開(kāi)發(fā)功率更高的OBC方案，目標(biāo)功率范圍在11kW至22kW之間，這將為電動(dòng)車(chē)的快速充電提供更強(qiáng)

  OBC 充電技術(shù) 新能源汽車(chē) 車(chē)載充電機(jī) 2446瀏覽量

• SiC FET在固態(tài)斷路器應(yīng)用中的沖擊電流處理能力2024-08-20 11:05

  

  固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機(jī)械斷路器具有多種優(yōu)勢(shì)。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應(yīng)用中擴(kuò)大其競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。SSCB的優(yōu)勢(shì)傳統(tǒng)的電機(jī)械斷路器依靠電磁作用進(jìn)行短路檢測(cè)和中斷，同時(shí)利用雙金屬作用實(shí)現(xiàn)過(guò)載電流保護(hù)。電磁效應(yīng)依賴于線圈和接點(diǎn)，涉及多個(gè)運(yùn)動(dòng)部件。故障限制響應(yīng)時(shí)間通常在幾毫秒左右，具體取決于額定值和使

  SiC 固態(tài) 斷路器 短路檢測(cè)器 1491瀏覽量

• 臺(tái)積電斥資171.4億新臺(tái)幣收購(gòu)Innolux工廠，加速先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)張2024-08-19 11:33

  

  全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電，在持續(xù)擴(kuò)大其生產(chǎn)版圖方面邁出了重要一步。據(jù)LibertyTimesNet于8月15日的最新報(bào)道，臺(tái)積電正式宣布已完成對(duì)先進(jìn)封裝及面板制造商Innolux位于臺(tái)灣南部科學(xué)園區(qū)的一座重要工廠的收購(gòu)，交易金額定為171.4億新臺(tái)幣，遠(yuǎn)低于市場(chǎng)普遍預(yù)期的200億新臺(tái)幣水平，展現(xiàn)了其高效的資本運(yùn)作能力。此次收購(gòu)的工廠占地面積超過(guò)96,0

  TSMC 半導(dǎo)體 臺(tái)積電 1538瀏覽量

• 提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊2024-08-19 11:31

  

  近年來(lái)，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET的設(shè)計(jì)成功主要發(fā)生在低功率到20kW范圍內(nèi)的電力轉(zhuǎn)換器中，這些通常是全新設(shè)計(jì)，這一趨勢(shì)主要是由于提高光伏逆變器和其他工業(yè)電源應(yīng)用的效率的需求。圖1設(shè)計(jì)師們現(xiàn)在正在使用市面上可用的高功率全SiC電力模塊和驅(qū)動(dòng)器

  IGBT IGBT模塊 SiC 電力轉(zhuǎn)換器 2375瀏覽量

• SemiQ將S7封裝添加至其QSiC™高性能功率模塊系列2024-08-16 11:18

  

  SemiQ公司在其QSiC™系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性，能夠?yàn)樾略O(shè)計(jì)提供緊湊、高效和高性能的選擇。同時(shí)，它們也便于無(wú)縫替換那些需要提升效率的舊系統(tǒng)。此次公告包括四個(gè)新電子模塊的發(fā)布：一個(gè)529AMOSFET模塊(GCMX003A120S7B1

  SemiQ SiC 功率模塊 1456瀏覽量

• 反向?qū)щ奍GBT的控制方法2024-08-16 11:13

  

  當(dāng)IGBT和二極管的功能結(jié)合在單個(gè)硅片上時(shí)，就產(chǎn)生了反向?qū)щ奍GBT(RC-IGBT)。這使得標(biāo)準(zhǔn)的IGBT/二極管模塊可以在單個(gè)硅芯片上構(gòu)建，從而增強(qiáng)了電流承載能力，而無(wú)需增加模塊的占地面積。此外，根據(jù)器件技術(shù)的不同，二極管的電氣性能可以受到IGBT柵極控制狀態(tài)的影響。然而，為了管理復(fù)合RC-IGBT中的損耗，需要考慮特殊的控制方法。器件介紹反向?qū)щ奍GB

  IGBT 二極管 電氣性能 1960瀏覽量

• GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮，預(yù)估2030年市場(chǎng)規(guī)模將突破43億美元2024-08-15 10:39

  

  隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點(diǎn)。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對(duì)GaN技術(shù)的投入不斷加大，標(biāo)志著功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展即將迎來(lái)新一輪的快速增長(zhǎng)。根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的《2024全球GaNPowerDevice市場(chǎng)分析報(bào)告》，2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約為2.71億美元，

  GaN 功率元件 功率電子 氮化鎵 1673瀏覽量

• 利用人工智能改變 PCB 設(shè)計(jì)2024-08-15 10:38

  

  人工智能在PCB設(shè)計(jì)中展現(xiàn)出不可否認(rèn)的潛力，但是工程師們自然對(duì)其影響有所顧慮。關(guān)于工作保障和責(zé)任的等問(wèn)題常常浮現(xiàn)：人工智能會(huì)奪走我的工作嗎?如果人工智能出錯(cuò)，我會(huì)被指責(zé)嗎?然而，人工智能助手不僅不是威脅，反而可以成為可靠的合作伙伴，它能夠解釋自己的決策并提供有價(jià)值的見(jiàn)解。它的選擇理由能力促進(jìn)了一個(gè)協(xié)作的環(huán)境，使經(jīng)驗(yàn)較少的工程師能夠在不感到威脅的情況下學(xué)習(xí)和成

  PCB設(shè)計(jì) 人工智能 數(shù)據(jù) 1796瀏覽量

• 光伏產(chǎn)業(yè)鏈2024年上半年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，引領(lǐng)全球綠色能源轉(zhuǎn)型2024-08-14 10:59

  

  隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮某掷m(xù)攀升，中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)在2024年上半年展現(xiàn)出了前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，各環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)均創(chuàng)歷史新高，不僅鞏固了中國(guó)在全球光伏領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為全球綠色能源轉(zhuǎn)型注入了強(qiáng)大動(dòng)力。據(jù)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)原材料，在2024年上半年實(shí)現(xiàn)了驚人的產(chǎn)量飛躍，全國(guó)總產(chǎn)量達(dá)到了106萬(wàn)噸，較去年同期大幅增長(zhǎng)74.9%。這一成績(jī)的

  光伏 光伏產(chǎn)業(yè) 多晶硅 終端 867瀏覽量

• 寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體封裝與測(cè)試解決方案2024-08-14 10:58

  

  隨著科技的不斷進(jìn)步，電子設(shè)備對(duì)性能和效率的要求日益提高，為了滿足這些需求，寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導(dǎo)體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)逐漸成為研究和應(yīng)用的重點(diǎn)。這些材料不僅具備較高的擊穿電壓和熱導(dǎo)率，還能在高溫、高頻及高功率環(huán)境下穩(wěn)定工作。然而，WBG半導(dǎo)體的封裝和測(cè)試面臨著一系列挑戰(zhàn)。電力半導(dǎo)體市場(chǎng)與寬禁帶材料全球電力半導(dǎo)體市場(chǎng)包

  半導(dǎo)體 寬禁帶 測(cè)試 1704瀏覽量