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直接液體冷卻功率半導(dǎo)體器件的影響2024-07-25 11:18
在電力電子領(lǐng)域,面臨的挑戰(zhàn)是如何在更小的設(shè)備中實(shí)現(xiàn)更高的功率傳輸并降低成本。這些目標(biāo)往往相互矛盾,導(dǎo)致必須做出妥協(xié)。更高的電流會(huì)導(dǎo)致器件內(nèi)部的熱應(yīng)力增加,從而縮短其使用壽命。為了解決這個(gè)問(wèn)題,可以考慮使用損耗更低的解決方案,比如用SiC-MOSFET替代IGBT。不過(guò),這樣的解決方案會(huì)更昂貴。另一種方法是改善冷卻效果,但絕緣基材在熱傳導(dǎo)上存在物理限制,而解決 -
氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場(chǎng)潛力2024-07-24 10:55
近年來(lái),氮化鎵(GaN)技術(shù)以其在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢(shì),迅速成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車(chē)和新能源等新興領(lǐng)域的推動(dòng)下,氮化鎵正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇,市場(chǎng)潛力巨大。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè),氮化鎵功率元件市場(chǎng)的營(yíng)收將在2024年顯著增長(zhǎng),預(yù)計(jì)到2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到13.3億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)65%。這一增長(zhǎng)趨 -
用SiC JFET技術(shù)徹底改變電路保護(hù)2024-07-24 10:54
20世紀(jì)中葉,住宅和工業(yè)電氣系統(tǒng)經(jīng)歷了重大創(chuàng)新。其中最具影響力的進(jìn)展之一是從傳統(tǒng)的可更換保險(xiǎn)絲轉(zhuǎn)向微型斷路器(MCB)。雖然保險(xiǎn)絲提供了基本的保護(hù),但在熔斷后必須更換;而斷路器在跳閘后可以輕松重置。這種便利促使建筑規(guī)范和電氣標(biāo)準(zhǔn)在新建工程中更青睞斷路器而非保險(xiǎn)絲。斷路器的發(fā)展趨勢(shì)近年來(lái),接地故障斷路器(GFCI)和弧故障斷路器(AFCI)等創(chuàng)新進(jìn)一步增強(qiáng)了斷 -
優(yōu)化高性能太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)中的電力轉(zhuǎn)換性能2024-07-23 11:30
高性能逆變器中的電力轉(zhuǎn)換電路在太陽(yáng)能發(fā)電廠中必須在苛刻條件下以最高的效率、可靠性和安全性運(yùn)行。通過(guò)精確且準(zhǔn)確的電流傳感解決方案,合理利用先進(jìn)的電路管理,使太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)能夠在最佳水平上運(yùn)行。綠色能源解決方案如太陽(yáng)能電站的增長(zhǎng),突顯了其轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)存和使用效率的必要性。在電網(wǎng)級(jí)太陽(yáng)能電力集成中,處理有效的電力管理挑戰(zhàn)不容小覷。根據(jù)PrecedenceResear -
全球SiC與GaN市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì),未來(lái)將迎來(lái)快速增長(zhǎng)2024-07-22 11:46
在近期的慕尼黑上海電子展上,YoleGroup的分析師邱柏順深入剖析了全球碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì),提供了對(duì)未來(lái)電力電子行業(yè)的深刻見(jiàn)解。隨著科技的進(jìn)步和市場(chǎng)需求的變化,寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)正逐漸成為電力電子市場(chǎng)的核心力量。根據(jù)最新的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè),到2029年,WBG預(yù)計(jì)將占據(jù)全球電力電子市場(chǎng)的近三分之一,其中SiC和GaN分別占26.8 -
探索AC-DC電源管理芯片:高效能和高集成度的關(guān)鍵2024-07-22 11:42
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詳解電力電子領(lǐng)域碳化硅(SiC)的熱行為2024-07-19 11:49
碳化硅(SiC)在功率電子學(xué)中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術(shù)具有眾多優(yōu)勢(shì)。它結(jié)合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導(dǎo)率。得益于這些特性,SiC器件相比于同等評(píng)級(jí)的硅器件表現(xiàn)出更低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))。除了更高的載流子遷移率外,這種較低的電阻還得到了SiC比硅更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)的輔助。這一特性使得器件結(jié)構(gòu)中的漂移層更薄。對(duì)于許多工業(yè)設(shè)計(jì)而言,SiC最重要的優(yōu)勢(shì) -
提升輕型電動(dòng)車(chē)性能(LVE)傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器技術(shù)的比較分析2024-07-18 11:35
輕型電動(dòng)車(chē)(LEV)在全球許多城市,尤其是在空氣污染嚴(yán)重的地區(qū),正變得越來(lái)越受歡迎。人們選擇LEV作為傳統(tǒng)汽油動(dòng)力汽車(chē)的更環(huán)保、更有效的替代品。隨著更強(qiáng)大和高效的電動(dòng)機(jī)、電池及充電基礎(chǔ)設(shè)施的進(jìn)步,LEV在日常使用中變得更加可行和可靠。分析師預(yù)測(cè),LEVs市場(chǎng)在預(yù)測(cè)期間將經(jīng)歷10.6%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。市場(chǎng)價(jià)值預(yù)計(jì)將從2024年的982億美元增長(zhǎng)到2034年的2 -
Power Master 半導(dǎo)體推出第二代 1200V eSiC MOSFET2024-07-17 10:53
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分析智能功率模塊(IPM)的熱性能以?xún)?yōu)化PCB設(shè)計(jì)2024-07-17 10:51
智能功率模塊(IPM)是設(shè)計(jì)師在低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的首選,特別是在成本和尺寸限制較緊的情況下。一項(xiàng)關(guān)于模塊在不同運(yùn)行條件下熱性能的新研究,幫助設(shè)計(jì)師準(zhǔn)確預(yù)測(cè)運(yùn)行溫度、功率和PCB設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)最佳的可靠性、成本和尺寸。使用智能功率模塊設(shè)計(jì)在家用電器和輕工業(yè)驅(qū)動(dòng)中使用的電機(jī)控制器通常采用包含使用HVIC技術(shù)構(gòu)建的門(mén)驅(qū)動(dòng)器、配置為半橋或三相橋的功率開(kāi)關(guān)以及保護(hù)組