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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)2024-04-22 13:51

    氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應用中,GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動了它在多樣化應用中的電源轉(zhuǎn)換使用,例如數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車。在本文中,我們將探討創(chuàng)建GaN功率集成電路(ICs)的一些優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。01創(chuàng)造GaN功率IC的動機基于硅的功率管理集成電路(PMICs)被
  • 汽車電子化潮流推動磁傳感器市場蓬勃發(fā)展2024-04-19 13:59

    隨著現(xiàn)代汽車行業(yè)迅猛發(fā)展,汽車“三化”特征——智能化、電動化、網(wǎng)絡化日益顯著,車輛的電子功能不斷豐富,例如電動助力轉(zhuǎn)向、防抱死剎車系統(tǒng)(ABS)以及電子加速踏板等。這些進步背后,磁傳感器的需求量悄然增長。磁傳感器主要用于測量汽車的車速、輪速、曲軸位置、凸輪軸位置等重要參數(shù),它們在ABS和電動車電機控制等關鍵系統(tǒng)中扮演著不可缺少的角色。全球磁傳感器市場目前正處
  • 封裝技術會成為摩爾定律的未來嗎?2024-04-19 13:55

    你可聽說過摩爾定律?在半導體這一領域,摩爾定律幾乎成了預測未來的神話。這條定律,最早是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾于1965年提出,簡單地說就是這樣的:集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番,性能也隨之增強。這不僅是一條觀察法則,更像是一道命令,催促著整個行業(yè)向著更小、更快、更便宜的方向發(fā)展。01但這些年來,摩爾定律好像遇到了壁壘。我們的芯片已經(jīng)小得難
    封裝技術 晶體管 芯片 1154瀏覽量
  • 阿斯麥(ASML)公司首臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機實現(xiàn)突破性成果2024-04-18 11:50

    在半導體領域,技術創(chuàng)新是推動整個行業(yè)向前發(fā)展的重要動力。近日,荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布,成功打造了首臺采用0.55數(shù)值孔徑(NA)投影光學系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻機,并已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一重要成就,不僅標志著ASML公司技術創(chuàng)新的新高度,也為全球半導體制造行業(yè)的發(fā)展帶來了新的契機。目前,全球僅有兩臺高數(shù)值孔徑EUV
    EUV 光刻機 半導體 2156瀏覽量
  • GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法2024-04-18 11:49

    氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢,如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時,這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢,因為其無反向恢復損失且電容相對較小。隨著這項技術在更廣泛的應用范圍內(nèi)推廣,詳細理解提高產(chǎn)量和可靠性的根本原因至關重要。本文中,我們總結(jié)了在GaN晶圓加工過程中常見的一些缺陷,以及用于檢測這些缺陷的表征技術。01氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)
    GaN HEMT 氮化鎵 3517瀏覽量
  • 新能源汽車蓬勃發(fā)展,IGBT供應緊張下的技術創(chuàng)新與產(chǎn)能擴張2024-04-17 13:47

    IGBT作為電機和電控系統(tǒng)的關鍵組件,對新能源汽車的性能有著直接影響,尤其在功率逆變器模塊中扮演關鍵角色。據(jù)統(tǒng)計,IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%,此外還廣泛應用于車載空調(diào)控制系統(tǒng)等。
  • 全新碳化硅MOSFET封裝技術提升電力模塊性能2024-04-17 13:46

    說到減少碳化硅MOSFET開關損耗,完全有可能,但讓電力模塊在運行時保持高開關速度,那可不是一件輕松的事。
    封裝 電力 碳化硅MOSFET 1071瀏覽量
  • 國內(nèi)碳化硅功率半導體元件市場迎來高速增長2024-04-16 13:42

    電動汽車和新能源的需求蓬勃增長正在推動碳化硅功率半導體元件市場的擴張。中國的碳化硅外延片生產(chǎn)商,在瀚天天成和天域半導體十多年的積累后,乘著新能源的東風,在全球市場中迅速崛起。
  • 碳化硅制備的重要性與難點和挑戰(zhàn)2024-04-16 13:35

    這種耐高溫、承受高電壓、導熱性能好到驚人的材料,讓它在半導體、航空航天、電力電子等多個領域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說,沒有碳化硅,許多現(xiàn)代技術根本無法實現(xiàn)。
  • 英飛凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET技術封裝2024-04-15 15:49

    全球半導體行業(yè)的領導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC,該封裝基于其先進的OptiMOS™ MOSFET技術,專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設計。
    MOSFET 封裝 英飛凌 1826瀏覽量
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