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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 單片機(jī)抗干擾措施有哪些?2024-03-15 16:36

    電磁干擾(EMI)問題日益成為影響單片機(jī)穩(wěn)定性與可靠性的主要障礙。因此,探討和實(shí)施有效的抗干擾措施對(duì)于提高單片機(jī)系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。下面為大家簡(jiǎn)單介紹一種單片機(jī)抗干擾措施
  • 英飛凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展2024-03-15 16:31

    英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L(zhǎng)需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化的工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiCMOSFET。這些MOSFET廣泛適用于工業(yè)領(lǐng)域的典型應(yīng)用,如電動(dòng)汽車充
    MOSFET 汽車 英飛凌 1502瀏覽量
  • 三星澄清:未采用MR-MUF工藝,持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)HBM芯片技術(shù)2024-03-14 11:56

    近期,針對(duì)三星是否在其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片生產(chǎn)中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified Memory Framework)工藝的討論在科技界引發(fā)了廣泛關(guān)注。
    HBM 三星 芯片技術(shù) 1320瀏覽量
  • 半導(dǎo)體器件電荷載流的控制:柵極技術(shù)解析2024-03-14 11:54

    在電子工程的世界里,柵極是個(gè)魔法般的存在,它就像電路的指揮官,靠著一個(gè)個(gè)小小的動(dòng)作就能控制電荷的流動(dòng),讓整個(gè)電子系統(tǒng)跳動(dòng)起來
  • 日立能源與TransnetBW攜手:超級(jí)電容器引領(lǐng)電網(wǎng)新風(fēng)向2024-03-13 14:26

    日立能源與TransnetBW合作,通過超級(jí)電容器促進(jìn)可再生能源增長(zhǎng)和電網(wǎng)彈性。雖然可再生能源具有非常好的環(huán)境效益,但其間歇性給電網(wǎng)整合帶來了挑戰(zhàn)。隨著人們注意力轉(zhuǎn)向可再生能源,保持電網(wǎng)穩(wěn)定性成為最緊要的問題。電網(wǎng)不穩(wěn)定的后果包括停電、設(shè)備損壞和基本服務(wù)中斷,因此需要加強(qiáng)電網(wǎng)穩(wěn)定措施和對(duì)彈性基礎(chǔ)設(shè)施的投資。日立能源公司與德國TransnetBW簽署了一份重要
  • 什么是單片機(jī):功能強(qiáng)大、應(yīng)用廣泛的集成電路芯片2024-03-13 14:21

    單片機(jī)(MicrocontrollerUnit,MCU)是一種集成電路芯片,它包含了中央處理器(CPU)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、MCP2515-I/ST只讀存儲(chǔ)器(ROM)、輸入輸出端口(I/O)和定時(shí)器計(jì)數(shù)器等部件,可以通過編程實(shí)現(xiàn)不同的功能。單片機(jī)廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、自動(dòng)控制、通訊設(shè)備、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。一、術(shù)語介紹1.中央處理器(CPU):
  • 一文讀懂何為IGBT2024-03-12 15:34

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心,IGBT結(jié)合了MOSFET的輸入阻抗高和GTR的低飽和壓降的特點(diǎn),其獨(dú)特的工作原理使其在高頻、高效率、高電流環(huán)境下具有卓越表現(xiàn)。IGBT廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)以及家用電器等眾多領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的晶體管
    IGBT MOSFET 半導(dǎo)體 6640瀏覽量
  • 格力電器將于6月投產(chǎn)全球第二座SiC全自動(dòng)化化合物芯片工廠2024-03-12 15:32

    格力電器的董事長(zhǎng)兼總裁董明珠在羊城晚報(bào)兩會(huì)直播間上透露了一個(gè)重要消息:格力正在建設(shè)一家全新的SiC芯片工廠,并計(jì)劃在今年6月正式投產(chǎn)。據(jù)悉,格力在這個(gè)工廠的建設(shè)上投入了高達(dá)百億元的資金,旨在成為全球第二座、亞洲第一座全自動(dòng)化化合物芯片工廠。根據(jù)公開資料顯示,珠海市生態(tài)環(huán)境局于2023年6月在官方網(wǎng)站上發(fā)布了《格力電子元器件擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表受理公告》,這
    SiC 格力電器 芯片 3318瀏覽量
  • 功率 MOSFET 特性雙脈沖測(cè)試簡(jiǎn)介2024-03-11 14:39

    對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士來說,不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來誤解。作為測(cè)試設(shè)備制造商,我們意識(shí)到用戶對(duì)雙脈沖測(cè)試有不同的看法。
  • 全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迎來黃金成長(zhǎng)期,機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存2024-03-11 14:34

    最新市場(chǎng)分析報(bào)告揭示,全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷一個(gè)高速增長(zhǎng)的黃金時(shí)期。數(shù)據(jù)顯示,市場(chǎng)規(guī)模從2020年的400億美元預(yù)計(jì)將在2030年達(dá)到550億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率約為3.3%。
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