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• 選型手冊(cè)：VSP004N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-26 11:57

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

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• 選型手冊(cè)：VSD004N03MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-26 11:53

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSD004N03MS是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管 449瀏覽量

• 選型手冊(cè)：VS8068AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-26 11:50

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-262封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)9.0

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管 433瀏覽量

• 選型手冊(cè)：VSO012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-25 16:31

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSO012N06MS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)8.0

  MOSFET 威兆半導(dǎo)體 晶體管 408瀏覽量

• 選型手冊(cè)：VS5810AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-25 16:27

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS5810AS是一款面向58V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：58V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)5.8mΩ、

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管 362瀏覽量

• 選型手冊(cè)：VSB012N03MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-25 16:22

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSB012N03MS是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TDFN3x3.3封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管 409瀏覽量

• 選型手冊(cè)：VSD011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-25 16:18

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管 928瀏覽量

• 選型手冊(cè)：VSD090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-25 16:14

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管 422瀏覽量

• 選型手冊(cè)：VS6016HS-A N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-24 13:12

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS6016HS-A是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)11mΩ

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• 選型手冊(cè)：VS6412ASL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-24 13:10

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS6412ASL是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值44

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