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• 選型手冊：VS3614AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-10 09:54

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3614AD是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

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• 選型手冊：VS3540AC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-10 09:44

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電源場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-1

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• 選型手冊：VST012N20HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-09 10:49

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VST012N20HS-G是一款面向200V中高壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中高壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：200V，適配中高壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)

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• 選型手冊：VS1602GTH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-09 10:43

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G

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• 選型手冊：VS1602GFH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-09 10:29

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220F封裝，適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G

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• 選型手冊：VS4802GPHT-IG N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-09 10:26

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

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• 選型手冊：VS1891GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-09 10:12

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS1891GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，

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• 選型手冊：VS3510AE P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-08 11:16

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電源場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時(shí)典型值10mΩ，\(

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• 選型手冊：VS3618AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-08 11:10

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

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• 選型手冊：VS6604GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-08 10:59

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

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