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Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款I(lǐng)GBT和MOS
Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已有的光耦產(chǎn)品線。今天發(fā)布的VO3120和VO3150A的輸出電流分別為2.5A和0.5A，具有最寬的工作電壓和很高的環(huán)境工作溫度，其低功耗特性能夠?qū)崿F(xiàn)更好的熱管理，以及在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電磁爐、電源和其他高電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更靈活的設(shè)計(jì)。
VO3120和VO3150A都帶有一個(gè)與積體電路光學(xué)耦合的LED，功率輸出級(jí)的操作電壓范圍是15V～32V，輸出電流分別可達(dá)2.5A和0.5A。新器件的電壓和電流使其適合直接驅(qū)動(dòng)電壓等級(jí)為800V的IGBT，VO3120可驅(qū)動(dòng)電流為50A的IGBT，VO3150A可驅(qū)動(dòng)電流為20A的IGBT。驅(qū)動(dòng)器的操作電壓最高可達(dá)32V，是目前業(yè)界最高的，這樣VO3120和VO3150A可以驅(qū)動(dòng)通常需要雙面電源的更大模組，讓設(shè)計(jì)者在挑選功率器件時(shí)有更大的選擇余地。
兩款驅(qū)動(dòng)器的最高環(huán)境工作溫度可達(dá)+110°C，設(shè)計(jì)者可以把驅(qū)動(dòng)器放置在更靠近IGBT的位置，抑或使用更小的散熱器，從而簡(jiǎn)化熱管理。2.5A的低功耗也有助于減小功率和散熱。Vishay提供的熱模型可幫助設(shè)計(jì)者進(jìn)行熱仿真。
VO3120和VO3150A均提供無鉛、符合RoHS指令的DIP-8和SMD-8封裝。這兩款器件現(xiàn)可提供樣品，于2009年6月正式量產(chǎn)。
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