TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET

采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流提高 50%

    北京2010年1月13日電 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。

    該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應(yīng)用，其中包括臺式個人計算機、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。

    TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求�！�

    DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢：

    -- 作為單相35A 同步降壓轉(zhuǎn)換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應(yīng)用中的高、低側(cè)兩種開關(guān)需求；

    -- 增強型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15攝氏度/每瓦降至1.2攝氏度/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%；

    -- 高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設(shè)計人員無需增加終端設(shè)備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動的處理器；

    -- 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設(shè)計、降低成本，與使用兩個標(biāo)準(zhǔn)5x6封裝相比，可節(jié)省 30平方毫米的空間。

    供貨情況

    DualCool NexFET 器件現(xiàn)已開始批量供貨。此外，還提供樣片與應(yīng)用手冊。

    通過以下鏈接查閱有關(guān) TI NexFET MOSFET 與其它功率產(chǎn)品的更多信息：


    商標(biāo)

    所有商標(biāo)與注冊商標(biāo)均是其各自所有者的財產(chǎn)。

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    關(guān)于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)

    2009 年 2 月TI 收購總部位于美國賓夕法尼亞州伯利恒的 CICLON 半導(dǎo)體器件公司，獲得其極富創(chuàng)新的高效率電源管理解決方案。新增加的NexFET 功率 MOSFET 解決方案進一步壯大 TI 現(xiàn)有的電源管理產(chǎn)品系列，從而標(biāo)志著 TI 能夠為客戶提供可支持高效電源設(shè)計的完整解決方案。DualCool(TM) NexFET 功率 MOSFET 是 TI收購該公司以來推出的第一款全新的功率 MOSFET 產(chǎn)品。

    關(guān)于德州儀器公司

    德州儀器 (TI) 始終致力于幫助客戶從容應(yīng)對任何設(shè)計挑戰(zhàn)，從而開發(fā)出創(chuàng)新的電子解決方案，讓未來世界更智能、更健康、更安全、更環(huán)保以及更精彩。作為全球性的半導(dǎo)體公司，TI 在全球超過 30 個國家設(shè)有制造、設(shè)計或銷售機構(gòu)。