華潤微電子IGBT工藝平臺通過產(chǎn)品設(shè)計驗證

       由中國科學(xué)院微電子研究所（以下簡稱“中科院微電子所”）設(shè)計研發(fā)的絕緣柵控雙極晶體管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，簡稱IGBT”）系列產(chǎn)品于日前在華潤微電子有限公司（以下簡稱“華潤微電子”）的工藝平臺上流片成功，各項參數(shù)均達到設(shè)計要求，標志著華潤微電子擁有了國內(nèi)第一條完整通過客戶產(chǎn)品設(shè)計驗證的IGBT工藝線，雙方正密切合作以進一步推動國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)進程，以協(xié)助推進實現(xiàn)國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)化的目標。

　　這次流片成功的產(chǎn)品采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)，規(guī)格為15-43A /1200V。這個產(chǎn)品面向家用電器應(yīng)用領(lǐng)域，目前正由國內(nèi)著名的家電企業(yè)客戶試用評估。

　　華潤微電子有限公司長期以來提倡產(chǎn)學(xué)研合作的模式，與國內(nèi)著名科研院所及大學(xué)在新型電力電子器件方面的技術(shù)合作由來已久。在此IGBT項目合作前，雙方曾聯(lián)合電子科技大學(xué)申請并成功獲得了國家新型電力電子項目的支持。在IGBT項目得到階段性成果之時，雙方將繼續(xù)發(fā)揮各自的優(yōu)勢，進一步在包括IGBT等方面的節(jié)能降耗領(lǐng)域展開密切的合作。

　　根據(jù)國內(nèi)權(quán)威的市場調(diào)查機構(gòu)資料，2009年中國IGBT的市場規(guī)模達38.2億人民幣，預(yù)期2010年中國IGBT市場規(guī)模為41.4億元人民幣，較2009年成長8.4%。到2011年與2012年分別達45.3與50.6億元人民幣，增長率分別為9.4%與11.7% 。更有半導(dǎo)體機構(gòu)預(yù)測IGBT在2010年在中國的成長將達到25%以上。面對強大的市場需求，中國目前還沒有一條完整的IGBT生產(chǎn)線可以提供終端客戶使用，因此必須依賴進口。

　　IGBT由雙極型晶體管（簡稱“BJT”）和絕緣柵型場效應(yīng)晶體管（簡稱“MOSFET”）相結(jié)合的電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。既有功率MOSFET 輸入阻抗高，控制功率小，易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有雙極晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小的顯著優(yōu)點。在提倡節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟的時代，具備節(jié)能效率高，便于規(guī)�；�生產(chǎn)，較易實現(xiàn)節(jié)能智慧化等優(yōu)點的IGBT已成為功率半導(dǎo)體市場發(fā)展的主流技術(shù)。IGBT主要用在家電產(chǎn)品、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通、照明、消費電子、計算機及汽車電子等，而智能電網(wǎng)、高速鐵路、新能源汽車為IGBT開辟了更加廣泛的應(yīng)用市場。