三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片

      據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體)模塊，并計(jì)劃從4月開(kāi)始生產(chǎn)該產(chǎn)品。

　　40納米(10億分之1米)工藝是指將芯片內(nèi)部電路的線幅縮小為40納米。芯片電路線幅越薄，芯片的集成度和生產(chǎn)效率就越高。

　　三星電子在2009年3月實(shí)現(xiàn)了50納米級(jí)16GB DRAM模塊的批量生產(chǎn)，而僅隔一年就把容量提高兩倍，芯片生產(chǎn)效率則提高了60%。最近，高性能服務(wù)器要求將存儲(chǔ)器容量提高至GB的1000倍，即TB(千千兆)級(jí)以上，因此預(yù)計(jì)40納米級(jí)32GB DRAM的用途將非常大。搭載該半導(dǎo)體的服務(wù)器(中型計(jì)算機(jī))以及臺(tái)式、本式個(gè)人電腦將比之前產(chǎn)品的主存儲(chǔ)量增加一倍。

　　三星電子副社長(zhǎng)金東守稱：“由于使用超節(jié)電技術(shù)，這次推出的40納米級(jí)32GB DRAM模塊的主存儲(chǔ)量增加，耗電量降低，為需要大容量存儲(chǔ)器的服務(wù)器以及個(gè)人電腦提供了高性能、低電力的存儲(chǔ)解決方案，這點(diǎn)非常有意義�！� 比如，使用96GB容量動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的服務(wù)器，搭載40納米級(jí)4GBDDR3動(dòng)態(tài)內(nèi)存的產(chǎn)品要比40納米級(jí)2GBDDR3動(dòng)態(tài)內(nèi)存模型的耗電量最多可減少35%。三星電子計(jì)劃在上半年內(nèi)將把在服務(wù)器和個(gè)人電腦用動(dòng)態(tài)內(nèi)存中的40納米級(jí)DDR動(dòng)態(tài)內(nèi)存供應(yīng)比率提高到90%以上。

　　三星電子芯片項(xiàng)目部存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)總經(jīng)理趙秀仁表示：“今年將量產(chǎn)40納米級(jí)32GB DRAM模塊，同時(shí)，三星電子已開(kāi)發(fā)了與40納米級(jí)相比更先進(jìn)的30納米級(jí)生產(chǎn)工程技術(shù)，下半年將推出30納米級(jí)產(chǎn)品，繼續(xù)搶占市場(chǎng)。”