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IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組

2010-04-20 10:24不詳佚名我要評論（0）我要收藏

IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組

　　國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。

　　IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個為高頻率 DC/DC開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化的解決方案。

　　IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR 通過改善關(guān)鍵參數(shù)不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 與業(yè)界最低的柵極電阻 (Rg) 相結(jié)合，使傳統(tǒng)上由典型同步降壓轉(zhuǎn)換器的同步和控制接口產(chǎn)生的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗降到了最低�！�

　　IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1mΩ的導(dǎo)通電阻，使整個負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導(dǎo)相關(guān)的損耗，并能實現(xiàn)反向恢復(fù)損耗，進一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25mΩ的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關(guān)的擊穿。

　　IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET也具備低電荷和低導(dǎo)通電阻，可減少開關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗，還可為快速開關(guān)提供極低的柵極電阻。

　　產(chǎn)品基本規(guī)格

　　有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。這些新器件的數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說明已刊登于IR的網(wǎng)站www.irf.com。

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