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高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32 Gb MLC NAND產(chǎn)品采用尖端技術(shù)，擴(kuò)展SAMSUNG公司的存儲(chǔ)器卡解決方案,用于智能手機(jī)、高端IT應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)器卡。
與30納米級(jí) MLC NAND相比，Samsung的20納米級(jí) MLC NAND提高50%的生產(chǎn)水平�；�20納米級(jí)、8GB和更高密度、SD卡的寫入性能比30納米級(jí) NAND提高30%，器件提供10級(jí)額定速度（讀取速度為20MB/s，寫入速度為10MB/s）。通過(guò)采用尖端工藝、設(shè)計(jì)和控制器技術(shù)，與30納米級(jí)NAND相比，Samsung還獲得安全可靠的性能。
用20納米級(jí)的存儲(chǔ)器卡將提供4GB-64GB的密度。Samsung及時(shí)推出了其高性能優(yōu)質(zhì)NAND，支持高密度智能手機(jī)、高端IT應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)器卡的不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)器要求。
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