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該產(chǎn)品主要針對商用EMC測試IEC 61000-4-3 標準（覆蓋頻率范圍為80MHz至1GHz）。據(jù)悉，新產(chǎn)品放大器采用了第三代寬帶隙GaN晶體管技術，與現(xiàn)有的來自IFI、TESEQ、AR、 PRANA和BONN的放大器相比，新產(chǎn)品的技術具有領先性，在同一封裝內(nèi)，功率可比上一代Si LDMOS、GaAs技術高10～20倍，可靠性提高20倍，壽命達到100萬小時；放大器具有250W、400W和750W 三種不同的P1dB輸出功率，可用在3U、7U和15U機箱中；放大器c.XJR2~0設計采用了出色可靠的CSA拓撲結構，支持從250W到750W 的輕松升級，具有可擴展、便于功率和頻率升級等特點。
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