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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出業(yè)界首款集成噪聲抑制技術(shù)的模擬音頻子系

2010-08-02 09:02美國(guó)半 佚名我要評(píng)論(0我要收藏
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor Corporation)宣布推出業(yè)界首款集成了噪聲抑制技術(shù)的模擬音頻子系統(tǒng),適用于智能電話及多功能手機(jī)。這款型號(hào)為PowerWise LM49155的模擬音頻子系統(tǒng)的特點(diǎn)是可以顯著改善談話者的語音信號(hào)/背景噪聲比,同時(shí)可確保傳送的語音清晰自然。無論撥打還是接聽,手機(jī)用戶即使身處嘈雜環(huán)境中也同樣能享受到更清晰的通話質(zhì)量。LM49155模擬音頻子系統(tǒng)可以盡可能地濾除背景噪聲,以提高語音識(shí)別系統(tǒng)的精度。

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM49155模擬音頻子系統(tǒng)以最低的功耗實(shí)現(xiàn)了噪聲抑制功能。當(dāng)手機(jī)處于靜態(tài)模式時(shí),耳機(jī)放大器及麥克風(fēng)放大器的信號(hào)路徑只耗用3.7mA的電流。由于該子系統(tǒng)非常簡(jiǎn)單易用,因此工程師可以輕松地為手機(jī)添加噪聲抑制功能,而無需額外花費(fèi)研發(fā)時(shí)間為數(shù)字信號(hào)處理器或微處理器編寫及測(cè)試語音處理程序代碼。

LM49155子系統(tǒng)可以抑制上行鏈路的噪聲并提高下行鏈路的信噪比,采用36焊球的超小型micro SMD 封裝,大小只有3.4mm x 3.4mm。此外,該子系統(tǒng)還內(nèi)置了可支持自動(dòng)電平控制(ALC)功能的1.35W 高效率D類(Class D)揚(yáng)聲器驅(qū)動(dòng)器、配備開關(guān)/切換噪聲抑制功能并以接地電壓為參考的耳機(jī)放大器以及混頻和音量控制功能。

LM49155子系統(tǒng)的上行鏈路噪聲抑制技術(shù)利用獨(dú)特的雙麥克風(fēng)放大器設(shè)計(jì)抑制遠(yuǎn)場(chǎng)噪聲。通過提高手機(jī)耳機(jī)信號(hào)與環(huán)境噪聲之間的信噪比(SNR),改善了下行鏈路語音信號(hào)的清晰度。LM49155子系統(tǒng)可以保存近距離范圍內(nèi)的上行鏈路語音信號(hào),同時(shí)還會(huì)將距離麥克風(fēng)0.5米之外的背景噪聲全部濾除。此外,該子系統(tǒng)還可連續(xù)調(diào)整下行鏈路信號(hào),因此無論接聽者身處怎樣的環(huán)境,都能清晰聽到對(duì)方的聲音。

此外,美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體最新開發(fā)的噪聲抑制技術(shù)也被用于型號(hào)為L(zhǎng)MV1099的分立式噪聲處理IC中。若輸入頻率為1kHz,該芯片可提供34dB上行鏈路遠(yuǎn)場(chǎng)噪聲抑制功能,其近場(chǎng)信噪比(SNR)可由6dB提高至18dB,下行鏈路信噪比則有16dB的改善。LMV1099芯片的其他特性包括:0.1%的上/下行鏈路總諧波失真及噪聲(THD+N),0.07uA的關(guān)斷電流,及3.7mA的供電電流。該芯片電源電壓范圍為2.7V至5.5V,采用25焊球的micro SMD 封裝。

(責(zé)任編輯:發(fā)燒友)

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