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新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D類音頻系統(tǒng)的 DirectFET2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真 (THD) 和提高效率，而低二極管反向恢復電荷 (Qrr) 則進一步改善了總諧波失真，降低了電磁干擾 (EMI) 。
AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封裝尺寸比 SO-8 小，更能夠為沒有散熱片的 8Ω 負載提供每通道 100W 的功率，由此可以提供非常緊湊的 D 類解決方案，是節(jié)省多通道電路板空間的理想選擇。AUIRF7675M2 中罐器件的封裝尺寸比 DPak 小54% ，能夠為沒有散熱片的 4Ω 負載提供每通道 250W 的功率，使其非常適合 D 類音頻系統(tǒng)的亞低音輸出級。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新款 DirectFET2 器件是對之前推出的 AUIRF7665S2 的補充，為設計師提供了適用 D 類音頻系統(tǒng)不同功率等級的替代額定電壓和導通電阻。”
正如所有的 DirectFET 產品一樣，新器件提供了最小的熱阻抗以及寄生電阻和電感，能夠提供出色的功率密度和雙面冷卻效率。
新器件符合 AEC-Q101 標準，是在IR要求零缺陷的汽車質量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 。
產品規(guī)格
器件編號 封裝 Vds 典型導通電阻 最大導通電阻 Rg(典型) 柵極電荷(典型)
AUIRF7640S2 DF2 小罐 60V 27mΩ 36mΩ 3.5Ω 7.3nC
AUIRF7647S2 DF2 小罐 100V 26mΩ 31mΩ 1.6Ω 14nC
AUIRF7675M2 DF2 中罐 150V 47mΩ 56mΩ 1.2Ω 21nC
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(責任編輯：發(fā)燒友)
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