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IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件

2010-09-15 18:11IR 佚名我要評論（0）我要收藏
IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。
產(chǎn)品規(guī)格
 
器件編號
封裝
BV (V)
最大 Vgs  (V)
10V下的
典型 / 最大RDS(on) (mΩ)
4.5V下的
典型 / 最大RDS(on)
(mΩ)
SO-8
-30
20
3.9 / 4.6
5.8 / 6.8
SO-8
-30
20
5.4 / 6.6
8.3 / 10.2
SO-8
-30
20
5.9 / 7.2
9.3 / 11.2
SO-8
-30
20
10.0 / 11.9
16.1 / 19.7
SO-8
-30
20
13.6 / 17.5
22.5 / 28.1
SO-8
-30
20
15.6 / 19.4
25.6 / 32.5
SO-8
-30
20
48 / 59
83 / 110
SO-8 (dual)
-30
20
17.0 / 21.0
25.7 / 32
標(biāo)簽：MOSFET(119)IR(19)
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