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國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m至59 m，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產(chǎn)品，這個新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力，更為客戶提供廣泛的導(dǎo)通電阻選擇，以適應(yīng)他們對溫度和成本的要求。同時，P 溝道技術(shù)也可以簡化電路設(shè)計(jì)�！�
P 溝道MOSFET器件達(dá)到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料不含鉛，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
產(chǎn)品規(guī)格
器件編號 封裝 BV (V) 最大 Vgs (V) 10V下的典型 / 最大RDS(on) (m) 4.5V下的典型 / 最大RDS(on)(m)
IRF9310 SO-8 -30 20 3.9 / 4.6 5.8 / 6.8
IRF9317 SO-8 -30 20 5.4 / 6.6 8.3 / 10.2
IRF9321 SO-8 -30 20 5.9 / 7.2 9.3 / 11.2
IRF9328 SO-8 -30 20 10.0 / 11.9 16.1 / 19.7
IRF9332 SO-8 -30 20 13.6 / 17.5 22.5 / 28.1
IRF9333 SO-8 -30 20 15.6 / 19.4 25.6 / 32.5
IRF9335 SO-8 -30 20 48 / 59 83 / 110
IRF9362 SO-8 (dual) -30 20 17.0 / 21.0 25.7 / 32
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