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恩智浦半導(dǎo)體推出LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BL
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場(chǎng)上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管,支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號(hào),平均輸出功率120W,效率可達(dá)31%以上。21dB高增益、出色的線性度和耐用性(駐波比VSWR> 40:1)使BLF888A成為DVB-T等高級(jí)數(shù)字發(fā)射機(jī)應(yīng)用的理想選擇。恩智浦將在2010年9月26日至10月1日法國(guó)巴黎舉辦的歐洲微波展(European Microwave Week)上正式推出BLF888A(展位號(hào):194)。
恩智浦50V高壓LDMOS工藝技術(shù)和先進(jìn)的熱管理概念為BLF888A帶來(lái)了卓越的性能表現(xiàn),實(shí)現(xiàn)了前所未有的功率密度和0.15K/W超低熱阻新突破。借助BLF888A晶體管,廣播設(shè)備制造商可以對(duì)現(xiàn)有以及新裝的發(fā)射機(jī)系統(tǒng)實(shí)施優(yōu)化,提高產(chǎn)品性能,降低總擁有成本。此外,BLF888A與BLF881驅(qū)動(dòng)器晶體管優(yōu)化整合可以滿足全系列功率放大器產(chǎn)品需求。
恩智浦半導(dǎo)體公司射頻功率產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Mark Murphy表示:“BLF888A是一款非常特別的產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)了耐用性、寬帶功率與工作效率的優(yōu)化整合。過(guò)去設(shè)計(jì)人員只能對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化平衡,始終無(wú)法提出最佳解決方案。現(xiàn)在有了BLF888A,全球廣播發(fā)射機(jī)工程師可以放心優(yōu)化自己的射頻系統(tǒng)性能,無(wú)需再擔(dān)心功率晶體管問(wèn)題!
BLF888A提供兩個(gè)封裝版本:螺栓式封裝(BLF888A)和無(wú)耳式封裝(BLF888AS),新封裝使PCB設(shè)計(jì)更加緊湊。另外,BLF888AS還能在更低的結(jié)溫條件下焊接。
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