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國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。
IR的新款高性能PQFN 3x3封裝是生產(chǎn)技術(shù)改進的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標(biāo)準(zhǔn)PQFN 3x3器件高出多達60%的負載電流能力，同時極大地減少了整體封裝電阻，從而達到極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。除了低導(dǎo)通電阻，新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導(dǎo)率并提高了可靠性，且符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及MSL1濕度敏感性測試。
這一高性能PQFN封裝技術(shù)也適用于5x6 mm占位面積的器件，與標(biāo)準(zhǔn)PQFN 5x6器件相比，在設(shè)計要求更多電流時無需增加額外占位面積。
該系列產(chǎn)品包括用作控制MOSFET的優(yōu)化器件，具有低柵極導(dǎo)通電阻(Rg)，以減少開關(guān)損耗。在同步MOSFET應(yīng)用方面，新器件以FETKY(單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復(fù)時間，以提高效率和EMI性能。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“全新系列高性能PQFN封裝器件專為DC-DC應(yīng)用優(yōu)化，是非�？煽壳异`活的高密度解決方案。此外，隨著IR對PQFN產(chǎn)品的擴展，客戶現(xiàn)在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設(shè)計達到最佳效果的產(chǎn)品�！�
新器件的高度小于1mm，與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)兼容，并擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令(RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
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