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IR推出IRF6708S2和IRF6728M 30V Dir

2010-12-17 08:55IR 佚名我要評(píng)論(0我要收藏

  國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組,特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計(jì)。

  IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數(shù)量達(dá)30%,大幅降低了整體系統(tǒng)成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ,最大限度減少了傳導(dǎo)及開關(guān)損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ,可以降低與體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)相關(guān)的損耗。

  


  IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術(shù)。這些新器件除了擁有低導(dǎo)通電阻和低電荷,也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。

  產(chǎn)品規(guī)格

  器件編號(hào) BVDSS (V) 10V下的

  典型RDS(on) (m? 4.5V下的

  典型RDS(on) (m) VGS (V) 4.5V下的

  典型QG (nC) 4.5V下的

  典型QGD (nC)

  IRF6728M 30 1.8 2.8 +/-20 28 8.7

  IRF6708S2 30 7.5 12.0 +/-20 6.6 2.2

  產(chǎn)品詳細(xì)數(shù)據(jù)及應(yīng)用說明可瀏覽IR網(wǎng)頁www.irf.com。

  新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,現(xiàn)已接受批量訂單。

標(biāo)簽IRF6708(1)IR(19)
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