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CISSOID推出瑞亞單芯片雙信道信號(hào)隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了瑞亞，一個(gè)可在-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作的2.5kV電流隔離數(shù)據(jù)傳輸方案。CHT-瑞亞是單芯片雙信道，全雙工收發(fā)器(2發(fā)送和2接收信道)。外部微脈沖變壓器確保每個(gè)磁隔離，而其核心直徑不超過(guò)6毫米(0.24“).
整個(gè)4信道數(shù)據(jù)傳輸中,每個(gè)脈沖變壓器旁都需要一個(gè)瑞亞. CISSOID已經(jīng)展示在板級(jí)的整體功能，包括在全溫度范圍時(shí)的變壓器�；� CISSOID組件的演示電路板實(shí)現(xiàn)了2MBits/秒的數(shù)據(jù)速率，傳輸延遲和抖動(dòng)分別為 低于100ns和25ns。該電路結(jié)構(gòu)，調(diào)制方案和變壓器的設(shè)計(jì)已為提供極端的dV / dt抗擾度(高達(dá)50kV/μs)進(jìn)行了優(yōu)化.
此方案提供先進(jìn)的數(shù)字信號(hào)隔離,與光耦合器對(duì)比有巨大優(yōu)勢(shì),如高可靠性，低功耗，dV/ dt抗干擾能力強(qiáng)和極端溫度條件下操作。
CHT-瑞亞是一種多用途的組件,在極端的溫度下需要傳輸電流隔離兩個(gè)不同共模電壓域的數(shù)字信號(hào)時(shí)有用。在常規(guī)溫度，瑞亞將確保出色的可靠性和壽命。
應(yīng)用包括絕緣柵 IGBT驅(qū)動(dòng)，JFET和MOSFET功率晶體管，包括碳化硅(SiC)的開(kāi)關(guān)，工業(yè)總線，絕緣A-D轉(zhuǎn)換器和傳感器接口，在工業(yè)，航空，鐵路，電力和混合動(dòng)力汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池管理。
瑞亞集成電路將用于 CISSOID即將完全隔離柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)稱為哈迪斯?，用于在低和高電壓域中傳輸控制和反饋信號(hào)。
瑞亞的初步數(shù)據(jù)表可在CISSOID的網(wǎng)站找到，SOIC28封裝工程樣品將在2011年第一季度提供。
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