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與標準0.5和0.35微米的電源管理CDMOS制程相比，宏力半導體的最新0.18微米電壓可調CDMOS擁有更為緊湊的設計規(guī)則和包括STI、Co silicide和ONO spacer等在內更為先進的工藝模塊，從而可以減小單元尺寸并提高芯片的性能。
由5V電壓驅動的高壓LDMOS器件的dual-gate解決方案建立在0.18微米CMOS低壓邏輯制程上，由此可以促進智能電源管理產(chǎn)品的開發(fā)。
該制程可調電壓的范圍是NLDMOS(12V-60V)和PLDMOS(12V-45V)，其卓越的連續(xù)可調特性適用于對電壓有不同要求的電源管理應用�？蛻艨稍谕粋�工藝平臺上調節(jié)ESD和Latch up，而無需在不同電壓的平臺上進行工藝的調整。
宏力半導體還特別為這個制程研發(fā)了一整套功能豐富的模型，以支持全程電壓可調LDMOS晶體管的工作電壓和相關幾何參數(shù)。與此同時，為工藝平臺配套的設計工具包(PDK)提供的Pcells可以讓設計師基于用戶輸入的最大工作電壓(Vdsmax)、和多指結構中的指寬度和指數(shù)目而設計出晶體管的版圖。此外，該設計工具包的關鍵之處在于應用Rdson(導通電阻)的輸入、最大工作電壓和布局風格的功率單元之合成，從而用戶可以很方便地合成輸出功率單元的版圖。
低Rdson提供了極高的工作效率并允許高負載電流，由此芯片的功耗將減小到最低值。此外，宏力半導體還為電源管理芯片提供了多種工藝選項，包括高壓Bipolars、Zener二極管、 Schottky二極管、頂層厚鋁、懸浮NLDMOS、MIM電容、多晶硅高阻值電阻和OTP。
“宏力半導體是國內第一家成功研發(fā)0.18微米電壓可調CDMOS制程及其設計工具包的晶圓代工廠。該工藝的優(yōu)勢在于通過高壓Bipolar器件就可滿足目前很多必須使用復雜的BCD工藝的應用需求，由此可幫助客戶極大地優(yōu)化其產(chǎn)品的成本結構。”銷售市場及服務資深副總裁衛(wèi)彼得博士說，“另外，由于其電壓可調及擁有多個工藝選項的特性，可以加速設計周期，為客戶縮短產(chǎn)品投放市場的時間。這個新工藝應用十分廣泛，例如電源管理、LED驅動、音頻芯片和馬達控制。”
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