--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 衰減范圍 0.5 dB (LSB)步進至31.5 dB
- 步長誤差 ±0.5 dB(典型值)
- 低插入損耗 2.8 dB(典型值,4.0 GHz)
- VEE = −5 V 時具有高線性度
- 輸入 P0.1dB 25 dBm(典型值
- 輸入 IP3 45 dBm(典型值)
- 高RF輸入功率處理 25 dBm(最大值
- 低相對相位 30° (6.0 GHz)
- 單電源運行 −3 V 至 −5 V
- 裸片尺寸 1.390 mm × 0.770 mm × 0.102 mm
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HMC424A芯片是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數(shù)字衰減器單芯片微波集成電路(MMIC),以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。
HMC424A芯片在0.1 GHz至13.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)具有出色的衰減精度(±0.2 dB + 3%的衰減狀態(tài))和高輸入線性度,典型插入損耗≤4.2 dB。衰減器位值為0.5 (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,總衰減為31.5 dB,典型步長誤差為±0.5 dB。
該器件允許用戶通過在0 V至VEE之間切換的六個并行控制輸入對衰減狀態(tài)進行編程設(shè)定。
HMC424A芯片采用?3 V至?5 V單個負電源供電,需要外部驅(qū)動器以便連接CMOS/晶體管對晶體管邏輯(TTL)接口。
HMC424A芯片采用符合RoHS標準的9焊盤裸片封裝。

衰減范圍:0.5 dB (LSB)步進至31.5 dB
步長誤差:±0.5 dB(典型值)
低插入損耗:2.8 dB(典型值,4.0 GHz)
VEE = ?5 V 時具有高線性度
輸入 P0.1dB:25 dBm(典型值)
輸入 IP3:45 dBm(典型值)
高RF輸入功率處理:25 dBm(最大值)
低相對相位:30° (6.0 GHz)
單電源運行:?3 V 至 ?5 V
裸片尺寸:1.390 mm × 0.770 mm × 0.102 mm
應(yīng)用
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
測試設(shè)備和傳感器
中頻(IF)和RF設(shè)計
軍事與太空
ADRF5473 HMC8073LP3DE
ADH939S HMC1122LP4ME
ADH941S HMC273AMS10GE
ADRF5740BCCZN HMC539ALP3E
ADRF5720BCCZN HMC802ALP3E
ADRF5721BCCZN HMC305SLP4E
ADRF5730BCCZN HMC540SLP3E
ADRF5731BCCZN HMC306AMS10E
HMC425ALP3E HMC1095LP4E
HMC1018ALP4E HMC792ALP4E
HMC1019ALP4E HMC468ALP3E
HMC291SE HMC472ALP4E
HMC1119LP4ME HMC542BLP4E
HMC939A HMC624ALP4E
HMC939ALP4E HMC759LP3E
HMC941A HMC424A
HMC941ALP4E HMC424AG16
HMC470ALP3E HMC424ALH5
HMC629ALP4E HMC424ALP3E
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