CGH40006P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號(hào)： CGH40006P

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

頻率高達(dá) 6 GHz 的操作
增益 2.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益
增益 6.0 GHz 時(shí) 11 dB 小信號(hào)增益
PIN PIN = 32 dBm 時(shí)典型值為 8 W
電壓 28 V 操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Cree 的 CGH40006P 是無(wú)與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。該CGH40006P，運(yùn)行來(lái)自 28 伏電源軌，提供通用寬帶解決方案到各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT提供高效率、高增益和寬帶寬能力使 CGH40006P 成為線性和壓縮放大器的理想選擇電路。該晶體管采用焊接式藥丸封裝。

特征
高達(dá) 6 GHz 的操作
2.0 GHz 時(shí) 13 dB 小信號(hào)增益
6.0 GHz 時(shí) 11 dB 小信號(hào)增益
PIN = 32 dBm 時(shí)典型值為 8 W
28 V 操作

應(yīng)用
2 路私人收音機(jī)
寬帶放大器
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
測(cè)試儀器
適用于 OFDM 的 A、AB 類放大器，
W-CDMA、EDGE、CDMA 波形

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