PC3M0120065L碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度，通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術的領先地位；啟用更?。淮蚧饳C; 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電源轉換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內(nèi)的應用；服務器/電信電源；電動汽車充電系統(tǒng)；儲能系統(tǒng)；不間斷電源；和電池管理系統(tǒng)。
好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率
? 易于并聯(lián)且易于驅動
? 啟用新的硬開關 PFC 拓撲（圖騰柱）
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
? 太陽能逆變器
? DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
? 電動汽車電池充電器
? UPS
相關型號
PC3M0120065L C3M0120100K
C3M0016120D C3M0016120K
C3M0021120D C3M0021120K
C2M0025120D C3M0032120J1
C3M0032120D C3M0032120K
C3M0040120J1 C3M0040120D
C3M0040120K C2M0040120D
C3M0075120D-A C3M0075120K-A
E3M0075120K E3M0075120D
C3M0120065J C3M0120065K
C3M0030090K C3M0065090D
C3M0065090J E3M0120090J
C3M0120090J C3M0120090D
C3M0280090J C3M0280090D
C3M0065100J C3M0120065D
