C3M0120065K碳化硅MOSFET業(yè)界最低的通態(tài)電阻和開關(guān)損耗，可實現(xiàn)最高效率和功率密度，通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)的領(lǐng)先地位；啟用更?。淮蚧饳C; 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合包括高性能工業(yè)電源在內(nèi)的應(yīng)用；服務(wù)器/電信電源；電動汽車充電系統(tǒng)；儲能系統(tǒng)；不間斷電源；和電池管理系統(tǒng)。
好處
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有獨立驅(qū)動源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應(yīng)用
? 太陽能逆變器
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源
? 電動汽車電池充電器
? UPS
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