C3M0065100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統(tǒng)等快速開關設備進行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。
1000 V 碳化硅 MOSFET 通過提供具有低導通電阻的獨特器件解決了許多電源設計挑戰(zhàn)；非常低的輸出電容；低源電感，完美融合了低開關損耗和低導通損耗。與基于硅的解決方案相比；Wolfspeed 碳化硅功率器件技術可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關頻率；減少組件數(shù)量；減小電感器等組件的尺寸；電容器；過濾器和變壓器。
好處
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率
特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術
? 低寄生電感，帶有獨立的驅動器源極引腳
? 漏極和源極之間的爬電距離為 7mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 低輸出電容 (60pF)
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
? 再生能源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 開關模式電源
相關型號
C3M0065100J C2M0040120D
C3M0065100K C3M0075120D-A
C3M0120100J C3M0075120K-A
C3M0120100K E3M0075120K
C3M0016120D E3M0075120D
C3M0016120K C3M0075120D
C3M0021120D C3M0075120J
C3M0021120K C3M0075120K
C2M0025120D C2M0080120D
C3M0032120J1 C3M0160120J
C3M0032120D C3M0160120D
C3M0032120K C2M0160120D
C3M0040120J1 C2M0280120D
C3M0040120D C3M0350120J
C3M0040120K C3M0350120D
