CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號： CG2H40035P

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

頻率高達(dá) 6 GHz 的操作
PSAT功率 40 W 典型 PSAT
PSAT效率 PSAT 的效率為 64%
增益 3.5 GHz 時(shí) 14 dB 小信號增益
電壓 28 伏操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CG2H40035 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40035；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力使 CG2H40035 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。晶體管可用于旋入式；法蘭封裝和焊接；藥丸包。

特征

高達(dá) 6 GHz 的操作

40 W 典型 PSAT

PSAT 的效率為 64%

3.5 GHz 時(shí) 14 dB 小信號增益

28 伏操作

應(yīng)用

2路私人收音機(jī)

寬帶放大器

蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施

測試儀器

A類；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形

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立年電子科技

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