CG2H40120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號(hào)： CG2H40120F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

頻率高達(dá) 2.5 GHz 的操作
增益 1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益
增益 2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益
PSAT功率 130 W 典型 PSAT
PSAT效率 PSAT 70% 的效率
電壓 28 伏操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CG2H40120 是無(wú)與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120；從 28 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力；使 CG2H40120 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用法蘭和藥丸封裝。

特征
高達(dá) 2.5 GHz 的操作
1.0 GHz 時(shí) 20 dB 小信號(hào)增益
2.0 GHz 時(shí) 15 dB 小信號(hào)增益
130 W 典型 PSAT
PSAT 70% 的效率
28 伏操作

應(yīng)用
2路私人收音機(jī)
寬帶放大器
測(cè)試儀器

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