CG2H80030D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號： CG2H80030D-GP4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

PSAT功率 30 W 典型 PSAT
電壓 28 伏操作
耐壓高擊穿電壓
環(huán)境高溫操作
頻率高達 8 GHz 的操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CG2H80030D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 提供更高的功率密度和更寬的帶寬。

特征
30 W 典型 PSAT
28 伏操作
高擊穿電壓
高溫操作
高達 8 GHz 的操作
高效率

應(yīng)用
2路私人收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
測試儀器
A類；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形

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