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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

8k 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 307 粉絲

C3M0075120D碳化硅MOSFET

型號(hào): C3M0075120D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200V
  • 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài) -8/+19
  • 柵極-源極電壓靜態(tài) -4/+15
  • 脈沖漏極電流 80A
  • 功耗 136W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -40to +175?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0075120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化,可用于 UPS 等大功率應(yīng)用;電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng);開關(guān)電源;太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng);電動(dòng)汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多?;诘谌夹g(shù);各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)樗麄兊膽?yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對(duì),為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強(qiáng)大組合。

C3M0075120D


優(yōu)點(diǎn)
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

 

特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無(wú)鹵素,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
? 再生能源
? 電動(dòng)汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源

相關(guān)型號(hào)
C3M0075120D CSD01060A
C3M0075120J C3D02060E
C3M0075120K C3D02060F
C2M0080120D C3D02060A
C3M0160120J C3D03060E
C3M0160120D C3D03060F
C2M0160120D C3D03060A
C2M0280120D C3D04060E
C3M0350120J C3D04060F
C3M0350120D C3D04060A
C2M1000170D C3D06060G
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
CSD01060E C3D08060A
 

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