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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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C3M0350120J碳化硅MOSFET

型號(hào): C3M0350120J

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓: 1200V
  • 柵極-源極電壓動(dòng)態(tài) -8/+19V
  • 柵極-源極電壓靜態(tài) -4/+15V
  • 脈沖漏極電流 20A
  • 功耗: 40.8W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -55to+150?C
  • 焊接溫度: 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0350120J為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可用于 UPS 等大功率應(yīng)用;電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng);開關(guān)電源;太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng);電動(dòng)汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多?;诘谌夹g(shù);各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)樗麄兊膽?yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對(duì),為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強(qiáng)大組合。

C3M0350120J

優(yōu)點(diǎn)
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

 

特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有驅(qū)動(dòng)源引腳的低阻抗封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 7mm
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無(wú)鹵素,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
? 再生能源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源
? UPS


相關(guān)型號(hào)
C3M0350120J C3D04060F
C3M0350120D C3D04060A
C2M1000170D C3D06060G
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
CSD01060E C3D08060A
CSD01060A C3D10060G
C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
C3D02060A C3D20060D
C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
 

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