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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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CSD01060E分立碳化硅肖特基二極管

型號: CSD01060E

--- 產品參數(shù) ---

  • 重復峰值反向電壓 600V
  • 浪涌峰值反向電壓 600V
  • 直流阻斷電壓 600V
  • 非重復峰值正向浪涌電 9A
  • 非重復峰值正向浪涌電 32W
  • 功耗 21.4W
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to+175?C

--- 產品詳情 ---

CSD01060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比標準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。將碳化硅二極管與SiC MOSFET配對,在一起購買時可實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。

CSD01060E


優(yōu)點
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 減少整流器散熱片
? 沒有熱失控的并行器件

特征
? 600 伏肖特基整流器
? 零反向恢復電流
? 零正向恢復電壓
? 高頻操作
? 與溫度無關的開關行為
? 極快的切換
? VF 上的正溫度系數(shù)


應用
? 開關模式電源
? 功率因數(shù)校正
- 典型 PFC Pout : 100W-200W
? 電機驅動
- 典型功率:0.25HP-0.5HP


重復峰值反向電壓:600V
浪涌峰值反向電壓:600V
直流阻斷電壓:600V
非重復峰值正向浪涌電流:9A
非重復峰值正向浪涌電流:32W
功耗:21.4,7.1W
工作結溫和存儲溫度:-55to+175?C

 

相關型號
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