C3M0350120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化，可用于 UPS 等大功率應(yīng)用；電機控制和驅(qū)動；開關(guān)電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多?；诘谌夹g(shù)；各種各樣的導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為他們的應(yīng)用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應(yīng)用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。
優(yōu)點
更高的系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
提高功率密度
提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
C3MTM SiC MOSFET 技術(shù)
高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
低電容的高速開關(guān)
具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
再生能源
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
開關(guān)模式電源
UPS
漏源電壓:600V
浪涌峰值反向電壓：600V
直流阻斷電壓：600V
非重復(fù)峰值正向浪涌電流：9A
功耗：21.4W
工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to+175?C
相關(guān)型號
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C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
C3D02060A C3D20060D
C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E
