C3D02060F為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅(qū)動；開關電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多。基于第三代技術；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。
優(yōu)點
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 無需額外隔離
特征
? 600 伏肖特基整流器
? 針對 PFC 升壓二極管應用進行了優(yōu)化
? 零正向和反向恢復
? 高頻操作
? 與溫度無關的開關行為
? 極快的切換
? VF 上的正溫度系數(shù)
? 完全隔離的外殼
應用
? 開關模式電源 (SMPS)
? PFC 或 DC/DC 級中的升壓二極管
? 逆變器級中的續(xù)流二極管
? AC/DC 轉(zhuǎn)換器
重復峰值反向電壓:600V
直流阻斷電壓：600V
功耗：22.7;9.8W
二極管 dV/dt 耐用性：200V/ns
工作結(jié)溫和存儲溫度:-55to+175?C
相關型號
C3M0350120D C3D04060A
C2M1000170D C3D06060G
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C3D02060E C3D10060A
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C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
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C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E
