C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯(lián)以滿足各種應用要求，而不用擔心熱失控。 結合降低冷卻要求并改善熱SiC產(chǎn)品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應用中降低整體系統(tǒng)成本。
好處
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件
特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數(shù)
? 零反向恢復電流/正向
恢復電壓
? 與溫度無關的開關行為
? 低漏電流 (IR)
應用
? 工業(yè)電源
? 開關模式電源
? 服務器/電信電源
? 功率因數(shù)校正
? 太陽能逆變器
? 不間斷電源供應
重復峰值反向電壓:650V
直流阻斷電壓：650V
功耗：73-31W
總電容電荷：22nC
工作結溫和存儲溫度:-55to+150?C
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