C6D20065D為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能系統(tǒng)；太陽(yáng)能（PV）逆變器；和消費(fèi)電子產(chǎn)品。。
好處
? 更高的系統(tǒng)級(jí)效率
? 提高系統(tǒng)功率密度
? 降低散熱器要求
? 沒(méi)有熱失控的并行器件
特征
? 新的第 6 代技術(shù)
? 低正向壓降（VF)
? 零反向恢復(fù)電流
? 零正向恢復(fù)電壓
? 低漏電流（Ir)
? 與溫度無(wú)關(guān)的開關(guān)行為
? VF 上的正溫度系數(shù)
應(yīng)用
? 開關(guān)模式電源 (SMPS)
? 電池充電系統(tǒng)
? 工業(yè)電源
? 服務(wù)器/電信電源
? 太陽(yáng)的
阻斷電壓:650V
最大持續(xù)電流：20A
總電容電荷：35nC
功耗：116W
正向電壓：1.27V
相關(guān)型號(hào)
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C4D10120D CPM3-0650-0015A
