CPM2-1200-0160A是1200 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它們針對(duì)不間斷電源 (UPS) 等大功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；電機(jī)驅(qū)動(dòng)器；開(kāi)關(guān)電源；太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)；電動(dòng)汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多?；谧钚碌牡谌夹g(shù)；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設(shè)計(jì)，以提高硬開(kāi)關(guān)性能。軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將 1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率的強(qiáng)大組合。從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統(tǒng)尺寸；重量; 設(shè)計(jì)復(fù)雜性；大多數(shù)大功率應(yīng)用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項(xiàng)和芯片布局為模塊設(shè)計(jì)人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。。

好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率

特征
? C2M SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開(kāi)關(guān)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動(dòng)
? 雪崩堅(jiān)固性
? 抗閂鎖
? 無(wú)鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用
? 太陽(yáng)能逆變器
? 開(kāi)關(guān)模式電源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? LED 照明電源

阻斷電壓:1200V
脈沖漏極電流：40A
焊錫溫度：260 ?C
最高加工溫度：325 ?C
反向恢復(fù)時(shí)間：20ns
反向恢復(fù)電荷：192nC
峰值反向恢復(fù)電流：30A

相關(guān)型號(hào)
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