--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 阻斷電壓 1200V
- 包裹 GM3
- 配置 半橋
- 電阻 8μJ
- 模塊尺寸 62.8 毫米 x 56.7 毫米
- 最高結(jié)溫 150°C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CAB008M12GM3是HM 電源模塊系列。1200 V 半橋電源模塊占位面積專(zhuān)為超高功率密度而設(shè)計(jì)。其開(kāi)發(fā)了 HM 功率模塊平臺(tái),以在功率密度敏感的應(yīng)用中提供碳化硅 (SiC) 的優(yōu)勢(shì);同時(shí)保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺(tái)的碳化硅優(yōu)化封裝可實(shí)現(xiàn) 175°C 的連續(xù)結(jié)操作;具有高可靠性的氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板,可確保極端條件下的機(jī)械穩(wěn)健性和輕質(zhì) AlSiC 基板。HM3 非常適合要求苛刻的應(yīng)用,例如工業(yè)測(cè)試設(shè)備、醫(yī)療電源、航空航天和牽引驅(qū)動(dòng)。

系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
? 重量輕、外形緊湊,帶有 62 毫米兼容底板,可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)改造
? 由于 SiC 的低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗,提高了系統(tǒng)效率
? 高可靠性材料選擇
技術(shù)特點(diǎn)
? 低電感、薄型 62mm 占位面積
? 高結(jié)溫 (175 °C) 操作
? 實(shí)施開(kāi)關(guān)優(yōu)化第三
一代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 輕質(zhì)AlSiC基板
? 高可靠性氮化硅絕緣體
應(yīng)用
? 鐵路和牽引
? 太陽(yáng)的
? 電動(dòng)汽車(chē)充電器
? 工業(yè)自動(dòng)化與測(cè)試
阻斷電壓:1200V
包裹:GM3
配置:半橋
電阻:8μJ
模塊尺寸:62.8 毫米 x 56.7 毫米
最高結(jié)溫:150°C
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