CGHV35400F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板

Cree

型號(hào)： CGHV35400F-AMP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

操作頻率 2.9 – 3.5 GHz
典型輸出功率 500 W
功率增益 11分貝
典型排水效率 70%
歐姆內(nèi)部匹配 50
脈沖幅度下降 <0.3 dB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV35400F1 是一款完全匹配的氮化鎵 (GaN) IMFET，采用耐熱增強(qiáng)型氣腔封裝。該器件在 50V 電壓下工作，能夠提供 500W 的脈沖輸出功率，在 20% 占空比下具有 2mS 的脈沖長(zhǎng)度。

特征
2.9 – 3.5 GHz 操作
500 W 典型輸出功率
11分貝功率增益
70% 典型排水效率
50 歐姆內(nèi)部匹配
<0.3 dB 脈沖幅度下降

應(yīng)用
S 波段雷達(dá)放大器

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