--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 配置 單端
- 包裹 DV
- 工作電壓 28V
- 功率輸出 80W
- 最低效率 50
- 測(cè)試頻率 175MHz
- 應(yīng)用范圍 1-175MHz
- 有源FET配置 4
- BV(Dss) 70V
--- 產(chǎn)品詳情 ---
D1006UK是TT Electronics鍍金多用途硅 DMOS RF FET。簡(jiǎn)化的放大器設(shè)計(jì),適用于寬帶應(yīng)用,低溫 RSS,簡(jiǎn)單的偏置電路,低噪聲,高增益 – 最小 14 dB

鍍金
多用途硅
DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管
120W – 28V – 175MHz
單端
配置:?jiǎn)味?br>包裹:DV
工作電壓:28V
功率輸出:80W
最低效率:50
獲得:16
測(cè)試頻率:175MHz
應(yīng)用范圍:1-175MHz
有源FET配置:4
BV(Dss):70V
應(yīng)用
? HF/VHF/UHF 通信
從 1 MHz 到 200 MHz
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