CGHV40050P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGHV40050P

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

操作頻率高達 4 GHz 的操作
典型輸出功率 77 W
信號增益 1.8 GHz 時 17.5 dB
應用電路 0.8 – 2.0 GHz
PSAT效率 53 %
操作電壓 50 伏

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV40050 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40050；從 50 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力；使 CGHV40050 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用 2 引線法蘭和藥丸封裝。

特征
高達 4 GHz 的操作
77 W 典型輸出功率
1.8 GHz 時 17.5 dB 小信號增益
0.8 – 2.0 GHz 的應用電路
PSAT 的效率為 53 %
50 伏操作

應用
窄帶超高頻
L 和 S 波段
高達 4 GHz 的多倍頻程帶寬放大器

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