CGHV40200PP-AMP1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板

Cree

型號(hào)： CGHV40200PP-AMP1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

操作頻率高達(dá) 3.0 GHz 的
小信號(hào)增益 1.8 GHz 時(shí) 21 dB
典型PSAT 250 W
PSAT 的效率 67 %
操作電壓 50 伏

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV40200PP 是無(wú)與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV40200PP；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力；使 CGHV40200PP 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用 4 引腳法蘭封裝。

特征
高達(dá) 3.0 GHz 的操作
1.8 GHz 時(shí) 21 dB 小信號(hào)增益
250 W 典型 PSAT
PSAT 的效率為 67 %
50 伏操作

應(yīng)用
2路私人收音機(jī)
寬帶放大器
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
測(cè)試儀器
A類(lèi)；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形

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