CGHV50200F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGHV50200F

--- 產品參數(shù) ---

操作頻率 4.4 – 5.0 GHz
典型 PSAT 180 W
典型功率增益 11.5 dB
典型功率效率 48%
歐姆內部匹配 50

--- 產品詳情 ---

CGHV50200F 是一款專為高效設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV50200F 成為對流散射通信的理想選擇；4.4 – 5.0-GHz C 波段衛(wèi)星通信應用和超視距。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝；輸入 440215。

特征
4.4 – 5.0 GHz 操作
180 W 典型 PSAT
11.5 dB 典型功率增益
48% 典型功率效率
50 歐姆內部匹配

應用
對流散射通信
視線之外——BLOS
衛(wèi)星通信

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