CGHV96050F2-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測(cè)試板

Cree

型號(hào)： CGHV96050F2-AMP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

操作頻率 8.4 – 9.6 GHz
POUT 典型值 80 W
功率增益 10分貝
典型 PAE 55 %
內(nèi)部匹配 50 歐姆
功率下降 <0.1 dB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV96050F2 是碳化硅 (SiC) 襯底上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術(shù)相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 IM FET 采用金屬/陶瓷法蘭封裝，可實(shí)現(xiàn)最佳電氣和熱性能。

特征
8.4 – 9.6 GHz 操作
80 W POUT 典型值
10分貝功率增益
55 % 典型 PAE
50 歐姆內(nèi)部匹配
<0.1 dB 功率下降

應(yīng)用
海洋雷達(dá)
天氣監(jiān)測(cè)
空中管制
海上船舶交通管制
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立年電子科技

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