CMPA1C1D080F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號(hào)： CMPA1C1D080F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

90 W 典型 P >21% 典型功率附加效率
小信號(hào)增益 25 dB
總輸出功率 -30 dBc IM3 時(shí)總輸出功率為 20 W
工作電壓工作電壓高達(dá) 40 V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Cree 的 CMPA1C1D080F 是一種封裝的 90 W HPA，利用 Cree 的高性能，0.25um GaN on SiC生產(chǎn)工藝。工作頻率為 12.75 - 13.25 GHz范圍針對(duì)衛(wèi)星通信，CMPA1C1D080F 提供 3 階總輸出功率為 20 W 時(shí)的互調(diào)性能為 -30 dBc。對(duì)于特殊的熱管理，HPA 采用螺栓固定法蘭封裝。

特征
90 W 典型 PSAT >21% 典型功率附加效率
25 dB 小信號(hào)增益
-30 dBc IM3 時(shí)總輸出功率為 20 W
工作電壓高達(dá) 40 V

應(yīng)用
衛(wèi)星通信上行

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